Name: R8001CND3FRATL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: R8001CND3FRATL
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: R8001CND3FRATL

Hersteller: ROHM Semiconductor

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 1A TO252

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 2500

Datenblätter online: -

R8001CND3FRATL Notiz

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Serie:Automotive, AEC-Q101
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):800 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:1A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
rds auf (max) @ id, vgs:8.7Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:5.5V @ 1mA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:7.2 nC @ 10 V
vgs (max):±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:60 pF @ 25 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):36W (Tc)
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:TO-252
Paket / Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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