Name: TPH3208PD
Brand: Transphorm
SKU: TPH3208PD
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: TPH3208PD

Hersteller: Transphorm

Beschreibung: GANFET N-CH 650V 20A TO220AB

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 76

Datenblätter online: TPH3208PD PDF

TPH3208PD Notiz

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Serie:-
Paket:Tube
Teilstatus:Obsolete
fet-Typ:N-Channel
Technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:20A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
rds auf (max) @ id, vgs:130mOhm @ 13A, 8V
vgs(th) (max) @ id:2.6V @ 300µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:14 nC @ 8 V
vgs (max):±18V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:760 pF @ 400 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):96W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C
Befestigungsart:Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:TO-220AB
Paket / Koffer:TO-220-3

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