IRFH6200TRPBF

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Herstellerteil

IRFH6200TRPBF

Hersteller
IR (Infineon Technologies)
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
2070800
Datenblätter online
IRFH6200TRPBF PDF
Anfrage
  • Serie:HEXFET®
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):20 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:49A (Ta), 100A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):2.5V, 10V
  • rds auf (max) @ id, vgs:0.95mOhm @ 50A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:1.1V @ 150µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:230 nC @ 4.5 V
  • vgs (max):±12V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:10890 pF @ 10 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):3.6W (Ta), 156W (Tc)
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Gerätepaket des Lieferanten:8-PQFN (5x6)
  • Paket / Koffer:8-PowerVDFN
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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