EPC2015C

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Herstellerteil

EPC2015C

Hersteller
EPC
Beschreibung
GANFET N-CH 40V 53A DIE
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
6127
Datenblätter online
EPC2015C PDF
Anfrage
  • Serie:eGaN®
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):40 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:53A (Ta)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):5V
  • rds auf (max) @ id, vgs:4mOhm @ 33A, 5V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 9mA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:8.7 nC @ 5 V
  • vgs (max):+6V, -4V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1180 pF @ 20 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):-
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Gerätepaket des Lieferanten:Die
  • Paket / Koffer:Die
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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