Name: FDN5618P
Brand: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
SKU: FDN5618P
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: FDN5618P

Hersteller: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 32655

Datenblätter online: FDN5618P PDF

FDN5618P Notiz

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Serie:PowerTrench®
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Active
fet-Typ:P-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:1.25A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:170mOhm @ 1.25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:13.8 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:430 pF @ 30 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):500mW (Ta)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:SuperSOT-3
Paket / Koffer:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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