NVMTSC1D3N08M7TXG

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Herstellerteil

NVMTSC1D3N08M7TXG

Hersteller
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 46A/348A 8DFNW
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
43896
Datenblätter online
-
Anfrage
  • Serie:Automotive, AEC-Q101
  • Paket:Tape & Reel (TR)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):80 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:46A (Ta), 348A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
  • rds auf (max) @ id, vgs:1.25mOhm @ 80A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:196 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:14530 pF @ 40 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):5.1W (Ta), 287W (Tc)
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Gerätepaket des Lieferanten:8-DFNW (8.3x8.4)
  • Paket / Koffer:8-PowerTDFN
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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