RS1G120MNTB

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Herstellerteil

RS1G120MNTB

Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
601532
Datenblätter online
RS1G120MNTB PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):40 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:12A (Ta)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
  • rds auf (max) @ id, vgs:16.2mOhm @ 12A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 1mA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:9.4 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:570 pF @ 20 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):3W (Ta), 25W (Tc)
  • Betriebstemperatur:150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Gerätepaket des Lieferanten:8-HSOP
  • Paket / Koffer:8-PowerTDFN
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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