Name: IRFH5210TRPBF
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: IRFH5210TRPBF
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: IRFH5210TRPBF

Hersteller: IR (Infineon Technologies)

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 10A/55A 8PQFN

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 800000

Datenblätter online: IRFH5210TRPBF PDF

IRFH5210TRPBF Notiz

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Serie:HEXFET®
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):100 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:10A (Ta), 55A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
rds auf (max) @ id, vgs:14.9mOhm @ 33A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 100µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:59 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:2570 pF @ 25 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):3.6W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:8-PQFN (5x6)
Paket / Koffer:8-PowerVDFN

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