Name: FQU13N06LTU-WS
Brand: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
SKU: FQU13N06LTU-WS
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: FQU13N06LTU-WS

Hersteller: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 11A IPAK

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 1500

Datenblätter online: FQU13N06LTU-WS PDF

FQU13N06LTU-WS Notiz

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Serie:QFET®
Paket:Tube
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:11A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:115mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 250µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:6.4 nC @ 5 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:350 pF @ 25 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):2.5W (Ta), 28W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:I-PAK
Paket / Koffer:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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