IRFHS9301TRPBF

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Herstellerteil

IRFHS9301TRPBF

Hersteller
IR (Infineon Technologies)
Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
84526
Datenblätter online
IRFHS9301TRPBF PDF
Anfrage
  • Serie:HEXFET®
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:P-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):30 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:6A (Ta), 13A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
  • rds auf (max) @ id, vgs:37mOhm @ 7.8A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.4V @ 25µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:13 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:580 pF @ 25 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):2.1W (Ta)
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Gerätepaket des Lieferanten:6-PQFN (2x2)
  • Paket / Koffer:6-PowerVDFN
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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