IPP086N10N3G

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Herstellerteil

IPP086N10N3G

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
201500
Datenblätter online
-
Anfrage
  • Serie:*
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:-
  • Technologie:-
  • Drain-Source-Spannung (vdss):-
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:-
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):-
  • rds auf (max) @ id, vgs:-
  • vgs(th) (max) @ id:-
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:-
  • vgs (max):-
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:-
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):-
  • Betriebstemperatur:-
  • Befestigungsart:-
  • Gerätepaket des Lieferanten:-
  • Paket / Koffer:-
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Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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