Name: TPN3300ANH,LQ
Brand: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
SKU: TPN3300ANH,LQ
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: TPN3300ANH,LQ

Hersteller: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 1803000

Datenblätter online: TPN3300ANH,LQ PDF

TPN3300ANH,LQ Notiz

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Serie:U-MOSVIII-H
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):100 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:9.4A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
rds auf (max) @ id, vgs:33mOhm @ 4.7A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 100µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:11 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:880 pF @ 50 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):700mW (Ta), 27W (Tc)
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paket / Koffer:8-PowerVDFN

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