CSD25501F3T

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Herstellerteil

CSD25501F3T

Hersteller
Texas
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 3.6A 3LGA
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
6998
Datenblätter online
-
Anfrage
  • Serie:FemtoFET™
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:P-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):20 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:3.6A (Ta)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):1.8V, 4.5V
  • rds auf (max) @ id, vgs:76mOhm @ 400mA, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1.05V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:1.33 nC @ 4.5 V
  • vgs (max):-20V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:385 pF @ 10 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):500mW (Ta)
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Gerätepaket des Lieferanten:3-LGA (0.73x0.64)
  • Paket / Koffer:3-XFLGA
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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