2SK1835-E

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Herstellerteil

2SK1835-E

Hersteller
Renesas Electronics America
Beschreibung
MOSFET N-CH 1500V 4A TO3P
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
6819
Datenblätter online
2SK1835-E PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):1500 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:4A (Ta)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):15V
  • rds auf (max) @ id, vgs:7Ohm @ 2A, 15V
  • vgs(th) (max) @ id:-
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:-
  • vgs (max):±20V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1700 pF @ 10 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):125W (Tc)
  • Betriebstemperatur:150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-3P
  • Paket / Koffer:TO-3P-3, SC-65-3
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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