IPW60R045CPFKSA1

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Herstellerteil

IPW60R045CPFKSA1

Hersteller
IR (Infineon Technologies)
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 60A TO247-3
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
3454
Datenblätter online
IPW60R045CPFKSA1 PDF
Anfrage
  • Serie:CoolMOS™
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Not For New Designs
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:60A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
  • rds auf (max) @ id, vgs:45mOhm @ 44A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3.5V @ 3mA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:190 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:6800 pF @ 100 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):431W (Tc)
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Gerätepaket des Lieferanten:PG-TO247-3
  • Paket / Koffer:TO-247-3
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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