Name: IPB010N06NATMA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: IPB010N06NATMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: IPB010N06NATMA1

Hersteller: IR (Infineon Technologies)

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 25627

Datenblätter online: IPB010N06NATMA1 PDF

IPB010N06NATMA1 Notiz

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Serie:OptiMOS™
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:45A (Ta), 180A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):6V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:1mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 280µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:208 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:15000 pF @ 30 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):300W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:PG-TO263-7
Paket / Koffer:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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