Name: BSC009NE2LS5ATMA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: BSC009NE2LS5ATMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: BSC009NE2LS5ATMA1

Hersteller: IR (Infineon Technologies)

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 116953

Datenblätter online: BSC009NE2LS5ATMA1 PDF

BSC009NE2LS5ATMA1 Notiz

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Serie:OptiMOS™
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):25 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:41A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:0.9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2V @ 250µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:57 nC @ 10 V
vgs (max):±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:3900 pF @ 12 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):2.5W (Ta), 74W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:PG-TDSON-8-7
Paket / Koffer:8-PowerTDFN

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