Name: R6006JNJGTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: R6006JNJGTL
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: R6006JNJGTL

Hersteller: ROHM Semiconductor

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 6A LPTS

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 1098

Datenblätter online: -

R6006JNJGTL Notiz

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Serie:-
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):600 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:6A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):15V
rds auf (max) @ id, vgs:936mOhm @ 3A, 15V
vgs(th) (max) @ id:7V @ 800µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:15.5 nC @ 15 V
vgs (max):±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:410 pF @ 100 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):86W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:LPTS
Paket / Koffer:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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