Name: BSC027N04LSGATMA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: BSC027N04LSGATMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: BSC027N04LSGATMA1

Hersteller: IR (Infineon Technologies)

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 24A/100A TDSON

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 405

Datenblätter online: BSC027N04LSGATMA1 PDF

BSC027N04LSGATMA1 Notiz

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Serie:OptiMOS™
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):40 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:24A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:2.7mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2V @ 49µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:85 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:6800 pF @ 20 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):2.5W (Ta), 83W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:PG-TDSON-8-1
Paket / Koffer:8-PowerTDFN

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