EPC2019

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Herstellerteil

EPC2019

Hersteller
EPC
Beschreibung
GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
56824
Datenblätter online
EPC2019 PDF
Anfrage
  • Serie:eGaN®
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):200 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:8.5A (Ta)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):5V
  • rds auf (max) @ id, vgs:50mOhm @ 7A, 5V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 1.5mA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:2.5 nC @ 5 V
  • vgs (max):+6V, -4V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:270 pF @ 100 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):-
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Gerätepaket des Lieferanten:Die
  • Paket / Koffer:Die
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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