Name: SI2308CDS-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: SI2308CDS-T1-GE3
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: SI2308CDS-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 35408

Datenblätter online: SI2308CDS-T1-GE3 PDF

SI2308CDS-T1-GE3 Notiz

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Serie:TrenchFET® Gen IV
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:2.6A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:144mOhm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:4 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:105 pF @ 30 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):1.6W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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