EPC2012C

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Herstellerteil

EPC2012C

Hersteller
EPC
Beschreibung
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
29227
Datenblätter online
EPC2012C PDF
Anfrage
  • Serie:eGaN®
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):200 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:5A (Ta)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):5V
  • rds auf (max) @ id, vgs:100mOhm @ 3A, 5V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 1mA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:1.3 nC @ 5 V
  • vgs (max):+6V, -4V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:140 pF @ 100 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):-
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Gerätepaket des Lieferanten:Die Outline (4-Solder Bar)
  • Paket / Koffer:Die
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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