Name: SPD30P06PGBTMA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: SPD30P06PGBTMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: SPD30P06PGBTMA1

Hersteller: IR (Infineon Technologies)

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 247495

Datenblätter online: SPD30P06PGBTMA1 PDF

SPD30P06PGBTMA1 Notiz

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Serie:SIPMOS®
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Active
fet-Typ:P-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:30A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
rds auf (max) @ id, vgs:75mOhm @ 21.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 1.7mA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:48 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1535 pF @ 25 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):125W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:PG-TO252-3
Paket / Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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