IRF6811STRPBF

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Herstellerteil

IRF6811STRPBF

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 19A/74A DIRECTFT
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
50000
Datenblätter online
IRF6811STRPBF PDF
Anfrage
  • Serie:DirectFET®
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):25 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:19A (Ta), 74A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):-
  • rds auf (max) @ id, vgs:3.7mOhm @ 19A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.1V @ 35µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:17 nC @ 4.5 V
  • vgs (max):±16V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1590 pF @ 13 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):2.1W (Ta), 32W (Tc)
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Gerätepaket des Lieferanten:DirectFET™ Isometric SQ
  • Paket / Koffer:DirectFET™ Isometric SQ
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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