Name: IPD082N10N3GATMA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: IPD082N10N3GATMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: IPD082N10N3GATMA1

Hersteller: IR (Infineon Technologies)

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 6300

Datenblätter online: IPD082N10N3GATMA1 PDF

IPD082N10N3GATMA1 Notiz

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Serie:OptiMOS™
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):100 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:80A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):6V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:8.2mOhm @ 73A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3.5V @ 75µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:55 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:3980 pF @ 50 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):125W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:PG-TO252-3
Paket / Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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