NVMFS4C01NT1G

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Herstellerteil

NVMFS4C01NT1G

Hersteller
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
15000
Datenblätter online
NVMFS4C01NT1G PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):30 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:49A (Ta), 319A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
  • rds auf (max) @ id, vgs:0.9mOhm @ 30A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.2V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:139 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:10144 pF @ 15 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):3.84W (Ta), 161W (Tc)
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Gerätepaket des Lieferanten:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Koffer:8-PowerTDFN
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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