QS5U13TR

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Herstellerteil

QS5U13TR

Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
451770
Datenblätter online
QS5U13TR PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):30 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:2A (Ta)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):2.5V, 4.5V
  • rds auf (max) @ id, vgs:100mOhm @ 2A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1.5V @ 1mA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:3.9 nC @ 4.5 V
  • vgs (max):±12V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:175 pF @ 10 V
  • fet-Funktion:Schottky Diode (Isolated)
  • Verlustleistung (max.):1.25W (Ta)
  • Betriebstemperatur:150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Gerätepaket des Lieferanten:TSMT5
  • Paket / Koffer:SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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