Name: FDC2612
Brand: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
SKU: FDC2612
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: FDC2612

Hersteller: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 2200

Datenblätter online: FDC2612 PDF

FDC2612 Notiz

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Serie:PowerTrench®
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):200 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:1.1A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
rds auf (max) @ id, vgs:725mOhm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4.5V @ 250µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:11 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:234 pF @ 100 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):1.6W (Ta)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:SuperSOT™-6
Paket / Koffer:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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