Name: TK62N60W,S1VF
Brand: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
SKU: TK62N60W,S1VF
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: TK62N60W,S1VF

Hersteller: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 7350

Datenblätter online: TK62N60W,S1VF PDF

TK62N60W,S1VF Notiz

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Serie:DTMOSIV
Paket:Tube
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):600 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:61.8A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
rds auf (max) @ id, vgs:40mOhm @ 30.9A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3.7V @ 3.1mA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:180 nC @ 10 V
vgs (max):±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:6500 pF @ 300 V
fet-Funktion:Super Junction
Verlustleistung (max.):400W (Tc)
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:TO-247
Paket / Koffer:TO-247-3

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