BSZ100N03MSGATMA1

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Herstellerteil

BSZ100N03MSGATMA1

Hersteller
IR (Infineon Technologies)
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
340875
Datenblätter online
BSZ100N03MSGATMA1 PDF
Anfrage
  • Serie:OptiMOS™
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):30 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:10A (Ta), 40A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
  • rds auf (max) @ id, vgs:9.1mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:23 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1700 pF @ 15 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):2.1W (Ta), 30W (Tc)
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Gerätepaket des Lieferanten:PG-TSDSON-8
  • Paket / Koffer:8-PowerTDFN
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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