G3R75MT12J

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Herstellerteil

G3R75MT12J

Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
800
Datenblätter online
-
Anfrage
  • Serie:G3R™
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):1200 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:42A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):15V
  • rds auf (max) @ id, vgs:90mOhm @ 20A, 15V
  • vgs(th) (max) @ id:2.69V @ 7.5mA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:54 nC @ 15 V
  • vgs (max):±15V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1560 pF @ 800 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):224W (Tc)
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-263-7
  • Paket / Koffer:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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