FDMS8820

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Herstellerteil

FDMS8820

Hersteller
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 28A/116A 8PQFN
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
306000
Datenblätter online
FDMS8820 PDF
Anfrage
  • Serie:PowerTrench®
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):30 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:28A (Ta), 116A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
  • rds auf (max) @ id, vgs:2mOhm @ 28A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:88 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:5315 pF @ 15 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):2.5W (Ta), 78W (Tc)
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Gerätepaket des Lieferanten:8-PQFN (5x6)
  • Paket / Koffer:8-PowerTDFN
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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