IRF200P222

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Herstellerteil

IRF200P222

Hersteller
IR (Infineon Technologies)
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
10000
Datenblätter online
IRF200P222 PDF
Anfrage
  • Serie:StrongIRFET™
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):200 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:182A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
  • rds auf (max) @ id, vgs:6.6mOhm @ 82A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 270µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:203 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:9820 pF @ 50 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):556W (Tc)
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-247AC
  • Paket / Koffer:TO-247-3
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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