SI4776DY-T1-GE3

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Herstellerteil

SI4776DY-T1-GE3

Hersteller
Vishay / Siliconix
Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 30V 11.9A 8SO
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
388787
Datenblätter online
SI4776DY-T1-GE3 PDF
Anfrage
  • Serie:SkyFET®, TrenchFET®
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Obsolete
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):30 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:11.9A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
  • rds auf (max) @ id, vgs:16mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.3V @ 1mA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:17.5 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:521 pF @ 15 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):4.1W (Tc)
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TA)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Gerätepaket des Lieferanten:8-SO
  • Paket / Koffer:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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