RUC002N05T116

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Herstellerteil

RUC002N05T116

Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
23100
Datenblätter online
RUC002N05T116 PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):50 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:200mA (Ta)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):1.2V, 4.5V
  • rds auf (max) @ id, vgs:2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1V @ 1mA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:-
  • vgs (max):±8V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:25 pF @ 10 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):200mW (Ta)
  • Betriebstemperatur:150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Gerätepaket des Lieferanten:SST3
  • Paket / Koffer:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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