FQB34N20LTM

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Herstellerteil

FQB34N20LTM

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
206
Datenblätter online
FQB34N20LTM PDF
Anfrage
  • Serie:QFET®
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):200 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:31A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):5V, 10V
  • rds auf (max) @ id, vgs:75mOhm @ 15.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:72 nC @ 5 V
  • vgs (max):±20V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:3.9 pF @ 25 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):3.13W (Ta), 180W (Tc)
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Gerätepaket des Lieferanten:D²PAK (TO-263AB)
  • Paket / Koffer:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Rückgabe / Garantie Rückkehr Rücksendungen werden normalerweise akzeptiert, wenn sie innerhalb von 30 Tagen ab Versanddatum abgeschlossen sind. Bitte wenden Sie sich an den Kundendienst, um eine Rücksendegenehmigung zu erhalten.
Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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