TJ200F04M3L,LXHQ

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Herstellerteil

TJ200F04M3L,LXHQ

Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Beschreibung
MOSFET P-CH 40V 200A TO220SM
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
1000000
Datenblätter online
-
Anfrage
  • Serie:U-MOSVI
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:P-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):40 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:200A (Ta)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):6V, 10V
  • rds auf (max) @ id, vgs:1.8mOhm @ 100A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3V @ 1mA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:460 nC @ 10 V
  • vgs (max):+10V, -20V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1280 pF @ 10 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):375W (Tc)
  • Betriebstemperatur:175°C
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-220SM(W)
  • Paket / Koffer:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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