IPW60R145CFD7XKSA1

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Herstellerteil

IPW60R145CFD7XKSA1

Hersteller
IR (Infineon Technologies)
Beschreibung
MOSFET HIGH POWER
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
30000
Datenblätter online
-
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:-
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):-
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:16A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):-
  • rds auf (max) @ id, vgs:-
  • vgs(th) (max) @ id:-
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:-
  • vgs (max):-
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:-
  • fet-Funktion:Standard
  • Verlustleistung (max.):-
  • Betriebstemperatur:-
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Gerätepaket des Lieferanten:-
  • Paket / Koffer:-
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