Name: RM21N650TI
Brand: Rectron USA
SKU: RM21N650TI
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: RM21N650TI

Hersteller: Rectron USA

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 650V 21A TO220F

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 0

Datenblätter online: -

RM21N650TI Notiz

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Serie:-
Paket:Tube
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:21A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
rds auf (max) @ id, vgs:180mOhm @ 10.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:-
vgs (max):±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:2600 pF @ 50 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):33.8W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:TO-220F
Paket / Koffer:TO-220-3 Full Pack

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