2N7002ET1G

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Herstellerteil

2N7002ET1G

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
44100
Datenblätter online
2N7002ET1G PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):60 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:260mA (Ta)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
  • rds auf (max) @ id, vgs:2.5Ohm @ 240mA, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:0.81 nC @ 5 V
  • vgs (max):±20V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:26.7 pF @ 25 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):300mW (Tj)
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Gerätepaket des Lieferanten:SOT-23-3 (TO-236)
  • Paket / Koffer:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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