IRG8P15N120KD-EPBF

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Herstellerteil

IRG8P15N120KD-EPBF

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
IRG8P15N120 - DISCRETE IGBT WITH
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - einzeln
Serie
-
Auf Lager
8125
Datenblätter online
IRG8P15N120KD-EPBF PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Obsolete
  • igbt-Typ:-
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1.2 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):30 A
  • Strom - Kollektor gepulst (icm):30 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2V @ 15V, 10A
  • Leistung max:125 W
  • Schaltenergie:600µJ (on), 600µJ (off)
  • Eingabetyp:Standard
  • Gate-Gebühr:98 nC
  • td (ein/aus) bei 25 °c:15ns/170ns
  • Testbedingung:600V, 10A, 10Ohm, 15V
  • Rückwärtserholzeit (trr):60 ns
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:TO-247-3
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-247AD
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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