STGYA120M65DF2AG

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Herstellerteil

STGYA120M65DF2AG

Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
IGBT
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - einzeln
Serie
-
Auf Lager
1189
Datenblätter online
STGYA120M65DF2AG PDF
Anfrage
  • Serie:M
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Active
  • igbt-Typ:Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):160 A
  • Strom - Kollektor gepulst (icm):360 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.15V @ 15V, 120A
  • Leistung max:625 W
  • Schaltenergie:1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
  • Eingabetyp:Standard
  • Gate-Gebühr:420 nC
  • td (ein/aus) bei 25 °c:66ns/185ns
  • Testbedingung:400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
  • Rückwärtserholzeit (trr):202 ns
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:TO-247-3
  • Gerätepaket des Lieferanten:MAX247™
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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