IRG8CH37K10F

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Herstellerteil

IRG8CH37K10F

Hersteller
IR (Infineon Technologies)
Beschreibung
IGBT 1200V 100A DIE
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - einzeln
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
IRG8CH37K10F PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • igbt-Typ:-
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1200 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):-
  • Strom - Kollektor gepulst (icm):-
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2V @ 15V, 35A
  • Leistung max:-
  • Schaltenergie:-
  • Eingabetyp:Standard
  • Gate-Gebühr:210 nC
  • td (ein/aus) bei 25 °c:35ns/190ns
  • Testbedingung:600V, 35A, 5Ohm, 15V
  • Rückwärtserholzeit (trr):-
  • Betriebstemperatur:-
  • Befestigungsart:-
  • Paket / Koffer:-
  • Gerätepaket des Lieferanten:-
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Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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