RGT8NL65DGTL

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Herstellerteil

RGT8NL65DGTL

Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
FIELD STOP TRENCH IGBT
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - einzeln
Serie
-
Auf Lager
1000
Datenblätter online
-
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • igbt-Typ:Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):8 A
  • Strom - Kollektor gepulst (icm):12 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 4A
  • Leistung max:65 W
  • Schaltenergie:-
  • Eingabetyp:Standard
  • Gate-Gebühr:13.5 nC
  • td (ein/aus) bei 25 °c:17ns/69ns
  • Testbedingung:400V, 4A, 50Ohm, 15V
  • Rückwärtserholzeit (trr):40 ns
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Gerätepaket des Lieferanten:LPDS
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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