RGT80TS65DGC11

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Herstellerteil

RGT80TS65DGC11

Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
IGBT 650V 70A 234W TO-247N
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - einzeln
Serie
-
Auf Lager
111
Datenblätter online
RGT80TS65DGC11 PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Active
  • igbt-Typ:Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):70 A
  • Strom - Kollektor gepulst (icm):120 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 40A
  • Leistung max:234 W
  • Schaltenergie:-
  • Eingabetyp:Standard
  • Gate-Gebühr:79 nC
  • td (ein/aus) bei 25 °c:34ns/119ns
  • Testbedingung:400V, 40A, 10Ohm, 15V
  • Rückwärtserholzeit (trr):58 ns
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:TO-247-3
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-247N
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Rückgabe / Garantie Rückkehr Rücksendungen werden normalerweise akzeptiert, wenn sie innerhalb von 30 Tagen ab Versanddatum abgeschlossen sind. Bitte wenden Sie sich an den Kundendienst, um eine Rücksendegenehmigung zu erhalten.
Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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