RGTH80TK65GC11

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Herstellerteil

RGTH80TK65GC11

Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
IGBT
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - einzeln
Serie
-
Auf Lager
450
Datenblätter online
-
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Active
  • igbt-Typ:Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):31 A
  • Strom - Kollektor gepulst (icm):160 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 40A
  • Leistung max:66 W
  • Schaltenergie:-
  • Eingabetyp:Standard
  • Gate-Gebühr:79 nC
  • td (ein/aus) bei 25 °c:34ns/120ns
  • Testbedingung:400V, 40A, 10Ohm, 15V
  • Rückwärtserholzeit (trr):-
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:TO-3PFM, SC-93-3
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-3PFM
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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