STGW80H65DFB

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Herstellerteil

STGW80H65DFB

Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
IGBT 650V 120A 469W TO-247
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - einzeln
Serie
-
Auf Lager
840
Datenblätter online
STGW80H65DFB PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Active
  • igbt-Typ:Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):120 A
  • Strom - Kollektor gepulst (icm):240 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2V @ 15V, 80A
  • Leistung max:469 W
  • Schaltenergie:2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
  • Eingabetyp:Standard
  • Gate-Gebühr:414 nC
  • td (ein/aus) bei 25 °c:84ns/280ns
  • Testbedingung:400V, 80A, 10Ohm, 15V
  • Rückwärtserholzeit (trr):85 ns
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:TO-247-3
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-247
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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