RGTV00TS65GC11

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Herstellerteil

RGTV00TS65GC11

Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - einzeln
Serie
-
Auf Lager
446
Datenblätter online
RGTV00TS65GC11 PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Active
  • igbt-Typ:Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):95 A
  • Strom - Kollektor gepulst (icm):200 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:1.9V @ 15V, 50A
  • Leistung max:276 W
  • Schaltenergie:1.17mJ (on), 940µJ (off)
  • Eingabetyp:Standard
  • Gate-Gebühr:104 nC
  • td (ein/aus) bei 25 °c:41ns/142ns
  • Testbedingung:400V, 50A, 10Ohm, 15V
  • Rückwärtserholzeit (trr):-
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:TO-247-3
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-247N
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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