FGA50N100BNTDTU

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Herstellerteil

FGA50N100BNTDTU

Hersteller
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT 1000V 50A 156W TO3P
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - einzeln
Serie
-
Auf Lager
890
Datenblätter online
FGA50N100BNTDTU PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Last Time Buy
  • igbt-Typ:NPT and Trench
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1000 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):50 A
  • Strom - Kollektor gepulst (icm):100 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.9V @ 15V, 60A
  • Leistung max:156 W
  • Schaltenergie:-
  • Eingabetyp:Standard
  • Gate-Gebühr:275 nC
  • td (ein/aus) bei 25 °c:-
  • Testbedingung:-
  • Rückwärtserholzeit (trr):1.5 µs
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:TO-3P-3, SC-65-3
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-3P
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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