HGTG30N60B3

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Herstellerteil

HGTG30N60B3

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
600 V, NPT IGBT
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - einzeln
Serie
-
Auf Lager
1450
Datenblätter online
HGTG30N60B3 PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Obsolete
  • igbt-Typ:-
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):600 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):60 A
  • Strom - Kollektor gepulst (icm):220 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:1.9V @ 15V, 30A
  • Leistung max:208 W
  • Schaltenergie:500µJ (on), 680µJ (off)
  • Eingabetyp:Standard
  • Gate-Gebühr:170 nC
  • td (ein/aus) bei 25 °c:36ns/137ns
  • Testbedingung:480V, 30A, 3Ohm, 15V
  • Rückwärtserholzeit (trr):-
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:TO-247-3
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-247-3
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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